型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT50TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚47035-49￥31.824050-199￥30.4640200-499￥29.7024500-999￥29.51201000-2499￥29.32162500-4999￥29.10405000-7499￥28.9680≥7500￥28.8320 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGTH80TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚50865-49￥33.321650-199￥31.8976200-499￥31.1002500-999￥30.90081000-2499￥30.70142500-4999￥30.47365000-7499￥30.3312≥7500￥30.1888 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT40TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚543620-49￥0.081050-99￥0.0750100-299￥0.0720300-499￥0.0696500-999￥0.06781000-4999￥0.06665000-9999￥0.0654≥10000￥0.0642 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 235800mW 3Pin(3+Tab) TO-3P28591-9￥39.198610-99￥36.9495100-249￥35.2787250-499￥35.0217500-999￥34.76471000-2499￥34.47552500-4999￥34.2185≥5000￥34.0578 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 2500V 30A 114000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC40681-9￥919.022410-49￥886.776050-99￥882.7452100-149￥878.7144150-249￥872.2651250-499￥866.6220500-999￥860.9789≥1000￥854.5296 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P44461-9￥75.037510-99￥71.7750100-249￥71.1878250-499￥70.7310500-999￥70.01331000-2499￥69.68702500-4999￥69.2303≥5000￥68.8388 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24756971-9￥244.996010-49￥238.604850-99￥233.7049100-199￥232.0006200-499￥230.7223500-999￥229.01801000-1999￥227.9528≥2000￥226.8876 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGF7H60DF 管装719210-99￥7.4160100-499￥7.0452500-999￥6.79801000-1999￥6.78562000-4999￥6.73625000-7499￥6.67447500-9999￥6.6250≥10000￥6.6002 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 40A 3Pin(2+Tab) D2PAK53475-49￥15.093050-199￥14.4480200-499￥14.0868500-999￥13.99651000-2499￥13.90622500-4999￥13.80305000-7499￥13.7385≥7500￥13.6740 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。34821-9￥135.458510-49￥131.924850-99￥129.2156100-199￥128.2733200-499￥127.5666500-999￥126.62431000-1999￥126.0353≥2000￥125.4464 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40951-9￥248.699010-49￥242.211250-99￥237.2372100-199￥235.5071200-499￥234.2096500-999￥232.47951000-1999￥231.3982≥2000￥230.3169 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 180000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Rail80181-9￥50.874010-99￥47.9550100-249￥45.7866250-499￥45.4530500-999￥45.11941000-2499￥44.74412500-4999￥44.4105≥5000￥44.2020 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation33995-49￥22.838450-199￥21.8624200-499￥21.3158500-999￥21.17921000-2499￥21.04262500-4999￥20.88645000-7499￥20.7888≥7500￥20.6912 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51495-49￥21.726950-199￥20.7984200-499￥20.2784500-999￥20.14851000-2499￥20.01852500-4999￥19.86995000-7499￥19.7771≥7500￥19.6842 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。78275-49￥21.294050-199￥20.3840200-499￥19.8744500-999￥19.74701000-2499￥19.61962500-4999￥19.47405000-7499￥19.3830≥7500￥19.2920 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW75N60H3 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚50155-49￥19.492250-199￥18.6592200-499￥18.1927500-999￥18.07611000-2499￥17.95952500-4999￥17.82625000-7499￥17.7429≥7500￥17.6596 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube46475-49￥24.230750-199￥23.1952200-499￥22.6153500-999￥22.47041000-2499￥22.32542500-4999￥22.15975000-7499￥22.0562≥7500￥21.9526 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45000mW 3Pin(3+Tab) TO-220NIS84075-24￥2.565025-49￥2.375050-99￥2.2420100-499￥2.1850500-2499￥2.14702500-4999￥2.09955000-9999￥2.0805≥10000￥2.0520 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin TO-247 Tube64575-49￥16.497050-199￥15.7920200-499￥15.3972500-999￥15.29851000-2499￥15.19982500-4999￥15.08705000-7499￥15.0165≥7500￥14.9460 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 45000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube74385-49￥15.163250-199￥14.5152200-499￥14.1523500-999￥14.06161000-2499￥13.97092500-4999￥13.86725000-7499￥13.8024≥7500￥13.7376 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 500000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube58101-9￥260.072510-49￥253.288050-99￥248.0866100-199￥246.2774200-499￥244.9205500-999￥243.11131000-1999￥241.9805≥2000￥240.8498 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD85261-9￥37.868810-99￥35.6960100-249￥34.0819250-499￥33.8336500-999￥33.58531000-2499￥33.30592500-4999￥33.0576≥5000￥32.9024
